Si e no... I passi della portante sono sempre di circa 64 uS (micro secondi) ovvero il periodo della 15 kHz (che poi in realtà è 15,6 kHz). Con i 210 o 628 passi vado a modificare il duty cycle della 15 kHz, in un tempo di 20 mS, ma la portante è sempre la stessa, ovvero l'oscillatore a 15 kHz resta sempre acceso.
Fatto questo con i 1024 o 512 passi vado a modificare l'ampiezza della sinusoide, lasciando invariati i passi di risoluzione della sinusoide. Quindi anche variando l'ampiezza della sinuosoide la risoluzione resta invariata... non mi sembra che il modulino cinese operi così, o sbaglio?

Sei stato chiarissimo
Per il modulino non saprei , ma giocando con il feedback tensione e misurando la variazione in uscita avevo concluso che si basava su 256 passi di risoluzione tensione.
Per gli step base per creare la sinusoide non so' come risalire al numero ......
Potrei impostare la massima frequenza in uscita (400hz) e vedere se trovo il gradino ...
i

Una domanda: volendo ripristinare il vecchio inverter ad onda sinusoidale modificata, potrei sostituire nella sezione finale di potenza gli originari 8 mosfet IRFP450 (a due a due in parallelo) con 4 IGBT tipo HGTG40N60B3? Occorre anche modificare le resistenze di gate, che adesso sono da 10 Ohm?
Grazie.
PS: non ho certo rinunciato al progetto "Homemade Inverter" (sono cocciuto e testardo!); è solo che ho necessità di far andare l'inverter per alcuni giorni e vorrei non ricomprare gli IRFP450 ma adoperare quello che ho!

non sapendo che driver monta la risposta è nì, per pilotarlo quasi bene a occhio ci vuole una resistenza di gate di 3,3ohm la tensione negativa di spegnimento non è quasi necessaria perchè la frequenza di commutazione è minima, sono quasi convinto che si possa fare....... posta una foto della sezione in oggetto vediamo se quel nì diventa un si

X Scinty

Ecco la foto della sezione in cui erano alloggiati gli 8 IRFP450

Immagine Allegata: Foto.png
 

cattive notizie non vedo driver che possa superare 1A al massimo 0,5
però non ti voglio scoraggiare quindi se gia sei certo che in quell'inverter il survoltore funziona fai così:
interrompi il bus dc con un fusibile in vetro di quelli lunghi a quest'ora non mi viene che misura è ma cmq da 3,6A perchèmi è sembrato un 500W effettivi in caso gli igbt ti vanno in corto almeno il survoltore lo salvi
metti gli igbt accendi e ti assicuri che non diventi una stufa ma cmq con 500W anche se non hai il rendimento massimo almeno facciamo un'esperienza in più

CITAZIONE (ElettroshockNow, 17/06/2014 00:45:54 )

Ma la tua scheda monta i transistor per evitare gli incroci ?

Rimuovili e testali sono molto probabilmente loro

Una volta rimossi potresti ponticellare singolarmente i collettori con gli emettitori e misurare nuovamente l'uscita sugli IR che dovranno darti i circa 6V .

Ciao

CITAZIONE (salvatre, 17/06/2014 11:44:57 )

Ciao a tutto il forum.
Ho trovato questo forum qualche mese fa, dopo aver guardato per informazioni sulla rete del modulo del driver. I vostri molto impressionanti.
Prima di tutto, il mio più sincero Electro, Scinty, Kekko, e complimenti a tutti i membri per tutto il lavoro già fatto.
Sto lavorando su EGS002, 20 pezzi resistenze IRF3205 (10k, 4.7 k) diodo 4148 e trasformatori (24V - 220V). Nella mia esperienza posso ottenere carichi da 500W a oltre 1500W 24v.
Il mio problema è il seguente:
Il dissipatore di calore che porta i mofets MOS_RH-2 (4148 + R10K) scalda rapidamente rispetto alle altre lavelli. Il dissipatore di calore (MOS_RH-2) Non riesco superato 1500W. EGS002 colpisce la tensione di uscita dovuta all'aumento di temperatura nonostante la presenza del ventilatore.
Penso che questo non è normale, e se mi capita di avere una temperatura uniforme per tutti i dissipatori aspetto 3000W 24V o più.
Grazie per avermi aiutato a risolvere il problema del dissipatore di calore (MOS_RH-2).

Ciao bobsako , benvenuto a bordo.

I MOS_RH sono normalmente più caldi in quanto lavorano alla frequenza pwm (24Khz) invece dei 50hz dei MOS_LH (dissipano circa il doppio) .

Che si scaldano troppo non è normale e credo che dipenda dalle resistenze di gate con valore troppo alto.

Da quello che ho capito hai usato 4.7K tra IR2110 e Mosfet .

Sostituiscile con delle resistenze da 47 Ohm e vedi se migliori la situazione (mantenendo le 10K tra gate e source).

Ciao e se puoi posta qualche foto .... ci piacciono
Elettro

Ex angustie
  Ho sbagliato io uso la resistenza di 4,7 ohm e non 4.7K.

CITAZIONE (bobsako, 17/06/2014 13:48:44 )

Ecco un editing delle immagini.

Immagine Allegata: test1.jpg
 

Se ho capito bene, ho bisogno di aumentare il valore della resistenza di guidare 5 MOSFET in parallelo. In caso contrario, gli altri 3 altre righe su 5 mosfet non sono calde.

CITAZIONE (bobsako, 17/06/2014 14:14:24 )